7月25日上午，三星电子在韩国京畿道华城厂举行3nm芯片出货仪式。韩国产业通商资源部长、三星电子DS部门负责人Kye Hyun Kyung、高管和员工、供应商和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。

据韩联社报道，Kye Hyun Kyung在致辞中表示，三星电子凭借此次量产在代工业务上取得了成功。GAA技术的早期开发成功，将成为FinFET晶体管达到技术极限时的新替代品。

据悉，三星电子3nm芯片采用GAA晶体管结构，与5nm芯片相比，3nm芯片可降低多达45%的功耗，同时提升23%的性能和减少16%的尺寸。

（来源：集微网/JSSIA整理）