7月27日，安世半导体官微发布消息称，公司推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。

该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有优秀的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。

新型MOSFET应用于智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。

除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，安世半导体还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在VGS= 4.5 V时的最大RDS(on)为16mΩ。

（来源：集微网/JSSIA整理）