2月28日，据日经中文网报道，Rapidus敲定了在北海道建设工厂的计划，预计候选地为北海道千岁市的工业园区。

日本政府此前已表示将向Rapidus投资700亿日元（约5.25亿美元）。此计划由尖端半导体科技中心（the Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC）统筹，日本10年间将通过LSTC投资Rapidus达347亿美元。

另据媒体报道，Rapidus预定2025上半年建造一条2纳米原型产线，希望2025年追上开始量产2纳米的台积电与其他世界级半导体对手。不过要达成目标，需约7万亿日元（约540亿美元）资金，才能2027年左右开始量产先进逻辑芯片。因此，日本政府通过LSTC投资金额可能会更高，以满足将来需求。

Rapidus是由索尼集团和NEC等8家科技大厂投资的合资企业。日本正大力支持Rapidus的发展，以提升本土半导体制造实力。

（JSSIA整理）