近日，存储器大厂铠侠和西部数据共同宣布推出最新的218层3D NAND闪存。

据介绍，此次西部数据联合铠侠推出的218层3D NAND闪存产品利用具有四个平面的1Tb三级单元（TLC）和四级单元（QLC），采用横向收缩技术，可将位密度提高约50%。同时，其NAND I/O速度超过3.2Gb/s，比上一代产品提高了约60%，此外，其写入性能和读取延迟则改善了20%。

铠侠和西数表示，该产品采用先进的缩放和晶圆键合技术，可以满足广泛市场领域呈指数级增长的数据需求，包括智能手机、物联网设备和数据中心等，目前已开始为部分客户提供样品

（JSSIA整理）