9月5日，英特尔宣布，将为Tower Semiconductor提供代工服务。

作为合作协议的一部分，Tower将使用英特尔位于新墨西哥州的制造工厂，并投资最多3亿美元购买和拥有将安装在该工厂的设备和其他固定资产，每月可生产“超过60万个光刻层（photo layer）”的300毫米晶圆，以满足预期的需求。

双方表示，该协议体现了英特尔和高塔半导体致力于通过无与伦比的解决方案和扩展能力扩大各自代工业务的承诺。英特尔将在新墨西哥州里奥兰乔的英特尔Fab 11X工厂生产高塔半导体高度差异化的65纳米电源管理BCD（双极-CMOS-DMOS）流程以及其他流程。

Tower半导体本身也拥有自己在以色列（150毫米和200毫米）、美国（200毫米）、日本（200毫米和300毫米）和即将与意大利的STMicroelectronics合作的制造设施。

（JSSIA整理）