10月22日消息，中国科学院上海微系统所官方公众号日前发布消息，称魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了300mm射频（RF）SOI晶圆，实现了从无到有的重大突破。

根据文章介绍，团队基于集成电路材料全国重点实验室300mm SOI研发平台，依次解决了300mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。

目前，RF-SOI晶圆，已经成为射频应用的主流衬底材料，占据开关、低噪放和调谐器等射频前端芯片90%以上的市场份额。随着5G网络的全面铺开，移动终端对射频模块的需求持续增加，射频前端芯片制造工艺正在从200 mm到300mm RF-SOI过渡，借此机会，国内主流集成电路制造企业也在积极拓展300mm RF-SOI工艺代工能力。因此，300mm RF-SOI晶圆的自主制备将有力推动国内RF-SOI芯片设计、代工以及封装等全产业链的协同快速发展，并为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实的保障。

（来源：上海微系统所/JSSIA整理）