据外媒报道，韩国存储器大厂三星获美国政府无限期豁免后，三星中国厂无需另外申请许可，就能进口美国芯片设备升级或扩产。三星高层决定为中国西安NAND Flash厂升级到236层堆叠技术，并开始大规模扩产。

报道指出，三星已开始预定和购买最新的半导体设备以用于接下来的制程转换。预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产第8代NAND Flash的技术。

三星中国半导体有限公司2012年落户西安，第一期工程投资108.7亿美元，2017年开始三星展开第二期工程，两期工程先后投资150亿美元。项目于2014年开始营运，2020年增建第二座工厂，生产128层堆叠NAND Flash存储器为主，月产能达20万片1英寸晶圆，占三星NAND Flash产总量40%以上。

三星计划2024年西安工厂安装逐步转换设备，以生产236层堆叠NAND Flash闪存。

（JSSIA整理）