三星于10月21日举办“存储技术日”活动上，正式推出HBM3E高带宽内存芯片“Shinebolt”，以及LPDDR5X CAMM2、大容量GDDR7显存、可拆卸式汽车用SSD等产品。

据介绍，三星的HBM3E新产品名为Shinebolt，每引脚速度高达9.8Gbps，总带宽可达1.2TB/s。

目前，三星正在利用其第四代基于EUV光刻机的10nm制程（14nm）节点来制造24GB容量的HBM3芯片。此外8层、12层堆叠可在HBM3E上实现36GB的容量，比HBM3高出50%。此前SK海力士、美光均已宣布推出HBM3E芯片，皆可实现超过1TB/s的带宽。

三星表示，目前8层、12层HBM3产品正在量产，Shinebolt样品正在向客户发货。

（JSSIA整理）