12月12日，美国纽约州宣布与IBM、美光、美光、应用材料、东京电子等公司合作，投资100亿美元扩建奥尔巴尼纳米科技园，建立一个新的尖端高数值孔径 或High NA）EUV中心，以推动未来十年的半导体技术创新。

该合作伙伴关系将投入100亿美元资助建设一个尖端的High NA极紫外光刻中心。这是北美第一个也是唯个公有的High NA EUV中心。

根据这一新举措，非营利性机构NY CREATES将在其奥尔巴尼纳米科技园购置并安装由ASML设计和制造的High NA EUV光刻设备，包括美光、IBM、应用材料、东京电子等在内的行业合作伙伴将使用这些半导体尖端设备。一旦此High NA EUV中心落成，将有助于该州定位为创新芯片技术的研发目的地。同时，该中心还将引入更多国际合作伙伴，包括全球知名研究机构，以及吸引来自世界各地的企业。

此外，这一合作关系将显著提高纽约州作为联邦国家半导体技术中心下确保锚定中心地位的领先候选人的地位，该中心有可能释放超过联邦政府出台的《芯片和科学法案》所募集110亿美元的资金规模。

为了支持该项目，纽约州将投资10亿美元扩建奥尔巴尼纳米科技园，通过购买ASML的EXE:5200 High NA EUV设备以及建造NanoFab Reflection来建立High NA EUV中心。这座高度精密的全新建筑拥有超过50000平方英尺的洁净室空间，将鼓励未来的合作伙伴发展并支持美国国家半导体技术中心、国家先进封装制造计划和国防部微电子共享计划（后者是美国国防部微电子共享计划）等。

（JSSIA整理）