1月24日，英特尔宣布，其美国新墨西哥州里奥兰乔（Rio Rancho）的Fab 9芯片工厂正式开业。

这是英特尔于2021年宣布的35亿美元投资的一部分，旨在升级其新墨西哥工厂，以制造先进的半导体封装技术。该工厂将是英特尔首批大规模生产3D先进半导体封装技术的运营基地之一。英特尔表示，其Foveros的3D先进封装技术是一种首创的解决方案，可以使处理器的计算块垂直堆叠、而不是并排堆叠。

英特尔表示，Fab 9将有助于推动英特尔先进封装技术创新的下一个时代。随着半导体行业进入在封装中使用多个“小芯片”的异构时代，Foveros和EMIB（嵌入式多芯片互连桥）等先进封装技术为英特尔2030年前实现单个芯片封装达到1万亿个晶体管发目标，提供了更快、更具成本效益的途径。

（JSSIA整理）