2月27日，三星宣布推出其创新性的12层堆叠HBM3E DRAM产品——HBM3E 12H。

相较于三星先前的8层堆叠HBM3 8H产品，HBM3E 12H最高带宽达1280GB/s，带宽和容量提升了超过50%。HBM3E 12H采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层堆叠产品的高度与8层堆叠产品保持一致，从而满足了当前HBM封装的要求。该技术通过降低非导电薄膜（NCF）材料的厚度，实现了芯片之间间隙的最小化，达到了7微米（µm），同时消除了层与层之间的空隙。这些举措使得HBM3E 12H的垂直密度相较于HBM3 8H提高了20%以上。

此外，热压非导电薄膜（TC NCF）技术还允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块，从而优化了HBM的热性能。在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域。该设计有助于提高产品的良率，为用户带来更为稳定和可靠的存储体验。

目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并预计在今年下半年开始大规模量产。

（JSSIA整理）