当地时间4月3日，SK海力士在美国西拉斐特普渡大学与印第安纳州、普渡大学和美国政府官员举行投资协议仪式，正式宣布将投资38.7亿美元（约5.2万亿韩元）在印第安纳州西拉斐特建设一座先进的AI内存封装生产工厂。此外，SK海力士还决定与美国普渡大学进行半导体技术开发合作。

SK海力士表示，印第安纳工厂计划从2028年下半年开始量产下一代高带宽存储器（HBM）等人工智能存储器产品。

此前，SK集团会长崔泰源在2022年7月与美国总拜登的视频会议上宣布了在美国投资220亿美元的计划。同年，SK海力士宣布计划在美国建立尖端封装制造工厂和研发（R&D）中心。随后，SK海力士对各个候选地点进行了审查，最终选定印第安纳州作为投资地点。

预计SK海力士将与其客户英伟达及其合作伙伴台湾台积电形成三角格局，从而产生协同效应。

（JSSIA整理）