6月18日，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧开工。

据悉，该项目总投资120亿元，将建设一条以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。项目分为两期，一期项目总投资70亿元，预计2025年三季度末初步通线，2025年四季度试生产，达产后年产42万片。项目建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，较好满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片。

5月，士兰微发布公告称，拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。

据了解，此次开工项目是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”后，士兰微落地厦门的第三个重大项目，将助推厦门市第三代半导体产业加快发展，也有利于加快实现公司SiC功率器件的产业化，完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局。

（JSSIA整理）