第三代半导体
 
瑞萨电子完成收购GaN器件商Transphorm
 2024-6-24
 

瑞萨电子宣布,已于2024年6月20日完成对氮化镓(GaN)功率半导体全球Transphorm的收购。

 

2024年1月11日,瑞萨电子与氮化镓(GaN)功率半导体厂商Transphorm达成最终协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股。该交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。

 

瑞萨电子高级副总裁兼电源总经理Chris Allexandre表示:“通过集成两家公司技术的交钥匙参考设计,客户可以立即从新的GaN产品中受益。将GaN添加到产品组合中,也加强了我们致力于开发让人们的生活更轻松的产品和技术的承诺。提供节能、降低成本和最大限度减少环境影响的强大且可持续的电源解决方案正是实现这一目标的途径。”

 

在完成收购Transphorm的同一天,瑞萨推出了15款全新成功产品组合,这些可立即投入市场的参考设计将新的GaN产品与瑞萨的嵌入式处理、电源、连接和模拟产品相结合。其中包括将Transphorm的汽车级GaN技术,用于车载电池充电器以及电动汽车的三合一动力系统解决方案。

 

Transphorm成立于2007年,总部位于美国加利福尼亚州戈利塔,源自加州大学圣巴巴拉分校和宽紧带行业,以独特的技术创新为基础,设计、制造和销售高性能、高可靠性的GaN电源产品,广泛适用于各种高压电源转换应用。

 

(JSSIA整理)