6月27日，安世半导体（Nexperia）表示，将投资2亿美元扩大其德国汉堡主要生产基地的产能。

据了解，安世半导体计划在汉堡增加生产线，研发和生产碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）产品，同时也将提高晶圆厂的硅（Si）二极管和晶体管产能。

据悉，安世半导体从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术。其中第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入使用。下一阶段是建立200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线。这些生产线预计将在未来两年内在汉堡工厂完成。同时，该项投资还将帮助进一步实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并通过逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。

安世半导体指出，这一举措充分展现了其对电气化和数字化领域关键技术的有力支持，SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，对实现脱碳目标越来越重要。”

（JSSIA整理）