当地时间8月6日，美国商务部和SK海力士已经签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT)。SK海力士将在美国印第安纳州建立一个高带宽内存(HBM)先进封装制造和研发(R&D)设施，美国商务部将向SK海力士提供4.5亿美元补助。

此外，联邦政府还计划为SK海力士项目提供5亿美元的贷款支持，并预计该项目将享受25%的投资税收抵免。

2024年4月，SK海力士宣布将在印第安纳州西拉斐特投资38.7亿美元，建造面向AI的存储器先进封装生产基地，同时与普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。该生产基地将拥有一条下一代HBM内存封装生产线，预计于2028年下半年开始量产。

目前，美国已获五大领先芯片制造商（台积电、英特尔、三星电子、美光科技和SK海力士）的重大投资承诺。美国商务部部长Gina Raimondo表示，商务部已公布了15家公司的投资意向书，提供约300亿美元的资金。

（JSSIA整理）