当地时间8月7日，比利时微电子研究中心imec宣布，在其与ASML合作的High-NA EUV光刻实验室首次成功利用0.55NA的High-NA EUV光刻机曝光了逻辑和DRAM的图案结构。

据介绍，imec 使用9.5nm密集金属线，实现了单曝光随机逻辑结构的图案化，对应于19nm pitch，将端到端间距尺寸降低至20nm以下。这足以使用单个High-NA曝光在1.4nm工艺技术上构建逻辑。

Imec还创建了中心间距为30nm的随机通孔，并具有良好的图案保真度和临界尺寸均匀性。此外，在P22nm的间距上形成的2D特征表现出了出色的性能，这足以用于3nm工艺节点的制造过程。

除了逻辑结构之外，imec在单次曝光中成功设计了将DRAM的存储节点着陆垫（Storage Node Landing Pad，SNLP）与位线外围集成在一起的设计，强调了High-NA技术减少曝光次数的潜力。

imec总裁兼首席执行官Luc Van den hove表示，作为行业应用的初步验证，结果显示了High-NA EUV技术的独特潜力，单次曝光即可实现20nm以下间距的金属层。High-NA EUV将对逻辑和存储器技术的尺寸扩展起到重要作用，这正是将路线图推向“埃米时代”的关键支柱之一。

（来源：SEMI/JSSIA整理）