第三代半导体
 
英飞凌马来西亚SiC工厂启动生产
 2024-8-9
 

8月9日消息,据日经报道,英飞凌位于马来西亚居林的功率芯片工厂一期启用。

 

该工厂一期投资20亿欧元,采用外购SiC晶圆生产SiC功率半导体,还将包括氮化镓(GaN)外延,创造900个就业岗位,预计2024年底投产。第二阶段的投资额高达50亿欧元,将打造全球最大、最高效的200毫米SiC电源工厂,总共将创造多达4000个就业岗位。这将与美国纽约州的Wolfspeed以及意大利卡塔尼亚的STMicroelectronics和捷克的onsemi等欧洲电源芯片工厂展开竞争。

 

马来西亚已成为英飞凌在亚洲最大的芯片生产基地。英飞凌居林高级副总裁兼董事总经理Ng Kok Tiong表示,英飞凌在马来西亚拥有约15000名员工,比包括其总部德国在内的全球任何地方都多。

 

英飞凌预测,截至9月的2024财年,SiC相关解决方案的收入将至少达到6亿欧元(6.56 亿美元)。

 

(JSSIA整理)