8月19日消息，晶合集成官方公众号发布信息，该公司与思特威联合推出1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS（CMOS图像传感器）。

据介绍，晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台，与思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。该产品具备1.8亿像素、8K 30fps PixGain HDR模式高帧率，以及超高动态范围等多项性能，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头，提升产品在终端灵活应用的适配能力。

晶合集成表示，1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。

（JSSIA整理）