8月29日， SK海力士宣布，成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品。

据悉，SK海力士以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺，SK海力士认为，由此可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将其1b工艺优势转移到1c工艺。与前一代1b工艺相比，1c工艺生产率提高了30%以上。另外，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化。

据介绍，1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%，能效也提高了9%以上。

（JSSIA整理）