英特尔与日本AIST合建半导体研发中心
9月3日,据日经新闻报道,英特尔将与国家先进产业科学技术研究所(AIST)合作,在日本建立先进半导体制造设备和材料研发中心。预计将在3-5年内完成,并引进ASML极紫外线光刻(EUV)设备。。
据介绍,该研发中心将在未来3到5年落成,拟配备极紫外光(EUV)光刻设备。英特尔和AIST计划向该项目投入数千亿日元。AIST将率先运营研发中心,英特尔将提供使用EUV光刻设备的关键半导体制造专业知识。设备制造商与材料商只要缴纳一定的费用,就能使用设备进行测试与试作
(JSSIA整理)