9月11日，英飞凌宣布，成功开发出300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术，希望满足高能耗人工智能（AI）数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。

英飞凌电源与传感器系统总裁Adam White表示，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

2023年10月，英飞凌成功收购GaN Systems后，促进了英飞凌在氮化镓技术上的不断突破和创新，相关的产品系列迅速实现了广泛的扩展。

英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有300mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的300mm硅和200mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。

（JSSIA整理）