市场传出，三星电子暂缓平泽P4晶圆代工产能扩充，并将专注NAND Flash与高频宽存储器（HBM）生产。

三星电子先前已决定暂停在平泽P4工厂建设第二期晶圆代工生产线。至于NAND Flash的P4一期产线预计近期投产，外传三期产线目前正在建设中。

此外，业界传出，三星晶圆代工美国德州泰勒工厂的设备投资也将会再延迟一个季度。

外界认为，三星全球晶圆代工厂投资建设计划面临比最初预期更多的延迟。主要担忧源于三星不确定其先进制程能否在由台积电等行业领导者主导的激烈竞争市场中竞争，这一挑战促使三星修改计划，延迟晶圆代工厂的建设和设备采购。

三星扩建中的主要晶圆代工项目包含韩国的P4工厂和美国德州泰勒工厂，这些工厂最初旨在处理先进工艺节点的量产，包括4nm、3nm甚至2nm技术。

业界消息显示，三星对P4工厂的原计划是先建设存储器产线（一期），再建设晶圆代工产线（二期），后续计划再建设存储器产线（三期与四期）以完成P4工厂。

（JSSIA整理）