10月29日，英飞凌宣布已成功将其硅功率晶圆的厚度减半至20微米（μm），实现了前所未有的技术突破。

据英飞凌电源和传感器系统部门的Adam White介绍，这种20微米的功率晶圆与传统硅晶圆相比，其厚度减少了50%，基板电阻也相应降低了50%，进而使功率系统中的功率损耗减少了15%以上。该技术已被应用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，且已交付给首批客户。

White表示，这种超薄晶圆将主要应用于12V器件，用于下一代AI GPU、TPU和具有垂直功率的CPU的本地电源转换。这些器件需要在0.8V电压下提供1000至2000A的大电流，而超薄晶圆技术通过降低RDSon（导通电阻）40%，使得这些器件在性能上有了显著提升。此外，该技术还可应用于消费电子、电机控制和计算等领域。

（JSSIA整理）