11月21日，SK海力士官方宣布，开始量产全球最高的321层1TB TLC（Triple Level Cell）14D NAND闪存。

据SK海力士官网介绍，SK海力士在此次产品开发过程中采用了“3-Plug2”工艺技术。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。

此外，SK海力士将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。与上一代产品相比，321层NAND的数据传输速度提高了12%，读取性能提高了13%，数据读取能效也提高了10%以上。

SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层产品。

（JSSIA整理）