日本电装与富士电机合建SiC功率半导体项目
据日媒报道,当地时间11月29日,日本电装(Denso)与富士电机(Fuji Electric)宣布,将合建碳化硅(SiC)功率半导体项目。
报道支出,该项目投资额为2116亿日元(约合人民币102亿元),年产能为31万片,预计到2027年5月开始供货。电装旗下大安制作所将制造SiC晶圆、兴田制作所负责生产SiC外延晶圆,富士电机将负责在其松本工厂制造SiC外延晶圆和SiC功率半导体,并将扩建所需设施。
此次投资计划得到了日本政府的大力支持。日本经济产业省表示,将向汽车零部件制造商日本电装与富士电机提供至多705亿日元的援助,用于联合生产功率半导体。
(JSSIA整理)