据武汉未来科技城消息，12月18日，长飞先进武汉基地项目首批设备搬入。

据悉，本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等。长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉新城，预计2025年5月实现量产通线。

（JSSIA整理）