1月3日消息，山西烁科晶体有限公司于近日成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底。同期，还研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。

据介绍，此次12英寸碳化硅衬底的成功研制，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。

山西烁科晶体有限公司从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发，涵盖碳化硅生长设备制造、粉料合成、晶体生长及衬底加工等。

（JSSIA整理）