1月8日消息，晶驰机电开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉通过客户验证，并正式开启了小批量交付。

据介绍该设备实现了长晶过程中工艺参数的精准控制和设备运行的高度智能化。通过创新的热场设计，实现均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度。

目前，碳化硅长晶技术主要包括物理气相输运（PVT）法和电阻加热法。PVT法是当前碳化硅单晶生长的主流技术，已实现商业化应用，能够制备高纯度、大尺寸的晶体。而电阻加热法作为新兴技术，在控制温度梯度、减少晶体缺陷方面表现出色，适合生长厚尺寸、高质量的晶体。电阻加热长晶炉具有结构紧凑、可兼容多种加热方式、控温精度高等特点，能满足6-8英寸碳化硅单晶的生长需求。

（JSSIA整理）