2月12日消息，三星电子近日宣布，正加速推进其位于中国西安的存储芯片工厂的升级计划，将该工厂的主流NAND闪存工艺从当前的128层（V6）直接跃升至286层（V9），以积极应对全球半导体市场的低迷态势，并有效抵御来自中国本土半导体企业的日益加剧的竞争压力。

自2023年起，三星电子便已开始着手将西安工厂的生产线从128层NAND工艺向236层（V8）工艺过渡。然而，面对快速变化的市场环境和技术发展趋势，三星决定采取更为激进的策略，直接引进更为先进的286层NAND闪存工艺生产线。

据三星透露，该公司计划在今年上半年完成新设备的引进与安装调试工作，并力争在下半年正式投产一条月产能介于2000至5000片晶圆之间的生产线。

美国拜登政府在2023年授予三星电子“经过验证的最终用户（VEU）”许可，这一决定为三星在中国生产超过200层的NAND闪存提供了政策保障，使其能够在地缘政治环境复杂多变的情况下，继续在中国市场采用先进的制造工艺。

（来源：微电子制造/JSSIA整理）