据铠侠官报道，日前，铠侠公司和闪迪公司宣布推出了新一代的3D闪存。

据介绍，该新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，3D堆叠层数达332层，对比第8代的218层增加了多达38%，接口速度为4.8Gb/s。

此外，相较于第八代产品，本次发布的新一代3D闪存显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。

铠侠首席技术官宫岛英史表示，随着人工智能技术的普及，产生的数据量将显著增加，同时数据中心对能效提升的需求也在增长。新技术将满足更大容量、更高速度和更低功耗的存储需求，并为人工智能的发展奠定基础。

（JSSIA整理）