2月25日，英特尔宣布，阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产。

报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆。Carson表示，在初步测试中，ASML的新型高数值孔径机器的可靠性大约是上一代机器的两倍。

2024年，英特尔接收这些先进设备的芯片制造商，与之前的ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的计算芯片。

英特尔还表示，正在使用其18A制造技术来测试High NA设备，该技术计划于今年晚些时候与新一代PC芯片一起进行量产；此外，英特尔也计划利用其下一代制造技术14A全面投入高数值孔径机器的生产，但尚未透露该技术的量产日期。

High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）是下一代光刻技术，通过增大光刻机的数值孔径（NA>0.55），显著提升分辨率（可降低至13nm以下），使芯片制造商能够在相同制程下实现更小的晶体管尺寸，从而提升性能并降低功耗。相比多步EUV曝光，单次High-NA EUV可完成更复杂的图形，减少工艺步骤，降低芯片制造成本。

（JSSIA整理）