据士兰微官方消息，2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。

资料显示，士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线、2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片；二期投产后总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线。

该项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。

（JSSIA整理）