3月17日消息，明报新闻网近日报道，香港微电子研发院（MRDI）正在设立两条8英寸第三代半导体中试线，分别负责碳化硅及氮化镓研发和生产，预计在今年内完成安装及调试。

2024年5月，香港立法会批准28.4亿港元设立香港微电子研发院，专注第三代半导体技术研发，包括碳化硅和氮化镓中试线，支持产学研合作。香港微电子研发院计划拿出其中24.78亿港元用于建立中试线，其余资金为5年内的运营开支。

近年，香港积极布局第三代半导体产业，重点聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术，旨在通过重大项目、政府支持及区域协同发展，打造全球半导体供应链的关键节点。同时，香港《创新科技发展蓝图》明确提出支持半导体先进制造，推动“新型工业化”，重点扶持第三代半导体技术突破与产业化应用。

（来源：全球半导体观察/JSSIA整理）