3月17日消息，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。

据介绍，该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。除第一代产品外，芯粤能也在积极研发布局第二代、第三代沟槽MOSFET。

2024年，芯粤能完成10亿元A轮融资，由广东省集成电路基金、国投创业等机构领投，资金将用于8英寸产线建设及市场拓展。据透露，芯粤能规划总投资75亿元，分两期建设年产48万片碳化硅晶圆生产线，目标在2026年实现产能全面释放。

（JSSIA整理）