4月1日，意法半导体与英诺赛科签署一项战略合作协议，将在氮化镓（GaN）晶圆制造领域展开深度协作。

根据协议，英诺赛科将能够利用意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体则可通过英诺赛科在中国境内的前端制造能力生产其自有的氮化镓晶圆。这一双向产能共享模式不仅优化了双方的制造资源配置，还大幅提升了供应链的灵活性和抗风险能力。

双方在声明中表示，此次合作的核心目标是依托灵活的供应链布局，进一步丰富各自的氮化镓产品组合，并增强市场供应能力。通过合作，双方有望实现技术互补，加速氮化镓器件在更广泛领域的渗透。

（JSSIA整理）