5月28日，长飞先进武汉基地一期实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆成功下线。

公开消息显示，长飞先进武汉基地总投资预计超200亿，占地面积498亩；其中一期占地344亩，总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

资料显示，长飞先进武汉基地项目由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围可覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域。

（JSSIA整理）