2025年8月25日，SK海力士宣布，已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，并开始量产。

SK海力士表示，为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。此外，SK海力士通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题，性能也较以往的QLC产品大幅提升。

SK海力士计划首先在电脑端固态硬盘（PC SSD）上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和面向智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

（JSSIA整理）