9月3日，SK海力士宣布，其位于韩国利川的M16工厂引入量产型高数值孔径极紫外曝光机（High NA EUV），并举行设备入厂庆祝仪式。

SK海力士自2021年首次在第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技术以来，持续将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。

相较于现有EUV设备，其精密度和集成度可分别提升1.7倍和2.9倍，确保下一代半导体存储器的量产竞争力此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

SK海力士计划通过引进该设备，简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力，巩固其在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。

（JSSIA整理）