9月26日，根据晶盛机电消息，其子公司浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线。

相较8英寸产品，12英寸SiC衬底单片晶圆产出量提升约2.5倍，可显著降低长晶、加工和抛光等环节的单位成本，被视为推动下游应用降本增效的重要路径。

晶盛机电表示，此次贯通的中试线覆盖晶体加工、切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗及检测全流程工艺，所有环节均采用国产设备与自主技术。其中，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心设备均由公司多年研发攻关完成。

（JSSIA整理）