12月18日消息，英特尔（Intel）近日宣布已安装ASML最新的TWINSCAN EXE:5200B光刻系统，这是全球首套、也是目前最先进的第二代High-NA EUV光刻系统，将用于Intel 14A节点制程。

英特尔指出，在与ASML的合作下，已成功证明了最先进的极紫外光刻设备在提供改进的精度和生产力方面的技术可行性，为High NA EUV极紫外光刻设备未来的大量制造奠定了基础。

根据资料，ASML的TWINSCAN EXE:5200B极紫外光刻设备在标准条件下，产能可达到每小时175片晶圆，但英特尔计划做进一步调整，提升至每小时200片晶圆以上。新系统还在英特尔过去一年多对High-NA EUV极紫外光刻设备的使用经验之上，将套准精度提升至了0.7纳米。

2023年，ASML向英特尔交货了首套High-NA EUV极紫外光刻设备，型号为TWINSCAN EXE:5000。英特尔将其作为试验机，并于2024年在美国俄勒冈州的Fab D1X晶圆厂完成安装。之后，该晶圆厂成为英特尔半导体技术研发基地，进一步研发使用High-NA EUV设备的技术与产品。

（JSSIA整理）