2025年12月31日消息，台积电在官网宣布，2纳米制程技术按计划于2025年第4季开始量产，采用第一代纳米片晶体管技术。

根据相关介绍，这是台积电公司首个采用全环绕栅极（Gate-all-around，GAA）纳米片（Nanosheet）晶体管的制程节点。在这种新结构中，栅极完全包覆由堆叠水平纳米片形成的通道，这种几何构造能显著提升电磁控制力，有效减少漏电问题，并允许在不牺牲性能或功耗效率的前提下，进一步缩小晶体管尺寸，进而大幅增加晶体管密度。

根据台积电公布的技术参数，与前一代N3E制程相较，N2在相同功耗下可提升10%至15%的性能。若在相同性能下，则能降低25%至30%的功耗。对于混合设计（包含逻辑、模拟与SRAM）而言，其晶体管密度可提升15%。而针对纯逻辑设计，密度增幅更高达20%。

此外，N2制程还导入了超高性能金属绝缘体金属（SHPMIM）电容器，这项创新为供电网络提供了比前代设计高出两倍以上的电容密度，同时将片电阻（Rs）与通孔电阻（Rc）各降低了50%。

位于高雄的Fab 22作为本次2纳米制程的首发生产基地。台积电规划在高雄建置5座2纳米晶圆厂，总投资金额逾1.5万亿元新台币，P1厂已于2025年底量产，P2厂预计2026年第二季量产，创造7000个高科技职缺，带动高雄产业转型与升级。

（JSSIA整理）