露笑科技8英寸导电型SiC衬底取得重大突破
1月22日消息,据露笑科技官微报道,合肥露笑半导体材料有限公司在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破。
报道称,露笑科技已全面掌握8英寸导电型碳化硅晶体生长工艺参数之间的耦合关系,成功生长出高质量的8英寸碳化硅晶体。晶体结晶质量高,晶型控制稳定,确保了衬底的高性能和一致性。其中,微管密度极低,表面质量满足客户要求。
此外,露笑科技合肥基地一期项目已顺利投产。在此基础上,公司正积极筹划二期扩产项目,将重点聚焦于8英寸衬底及外延片的产线建设,旨在快速形成规模化生产能力。
露笑科技表示,将继续加大研发投入,持续优化8英寸导电型碳化硅的生产工艺,同时前瞻性地布局下一代碳化硅技术,积极探索更大尺寸衬底的研发。
(JSSIA整理)