3月17日消息，研微（江苏）半导体科技有限公司自主研发的Spritz tALD设备近日交付国内存储行业头部企业。

据介绍，研微Spritz tALD设备采用进气、混气系统与匀流系统，显著提高薄膜均匀性，同时降低颗粒产生。应用领域覆盖HKMG金属层沉积、NAND、WL、DRAM bWL及SN区域薄膜填充。

作为半导体芯片制造的核心工艺环节，金属ALD技术直接影响着存储芯片的性能、良率与先进制程突破，在 3D NAND、DRAM 等主流存储芯片制造中发挥着关键作用。

（JSSIA整理）