4月10日消息，英特尔代工服务（Intel Foundry）成功研发出厚度仅19微米的氮化镓芯粒（GaN chiplet）。

据介绍，该氮化镓芯粒，其基底硅片厚度为19微米，由300毫米硅基氮化镓晶圆加工制成。

研究人员成功将氮化镓晶体管与传统硅基数字电路集成在单一芯片上，可直接在电源芯粒中实现复杂计算功能，无需额外搭配独立辅助芯片。

英特尔晶圆代工将超薄GaN芯片与片上数字控制电路相结合，无需单独的配套芯片，并减少了组件间信号传输过程中的能量损耗，该平台有望成为实际产品的候选方案。

英特尔表示，该技术将为数据中心、无线基础设施等领域带来实质性升级。

（JSSIA整理）