4月11日，日本政府批准向Rapidus追加拨款6315亿日元（约合人民币270.15亿元），帮助其加速进军竞争激烈的AI芯片制造市场，并降低日本对台积电的依赖。日本政府预计在2027年3月（2026财年结束）前，对Rapidus的累计投资总额将达到2.6万亿日元。

据悉，Rapidus正在开发2nm制程的先进逻辑半导体，于2025年完成试制，并计划2027年度开始量产。根据规划，Rapidus初期月产能规划6000片晶圆，计划在量产后约一年内提升至2.5万片/月，实现约四倍规模增长。

日本经产省还表示，Rapidus计划在2031年度左右进行首次公开发行（IPO），并计划部分透过政府贷款担保，寻求约3兆日元的民间融资。该公司已在北海道千岁市设立设施，用以测试与诊断芯片以提升良率，而专攻后段制程开发的研发中心也已开始运作。

同日，Rapidus举行了分析中心与先进封装设施（RCS）的启用仪式，这两幢建筑均为其2nm晶圆厂IIM-1的配套设施。Rapidus的分析中心可容纳最为先进的电子显微镜，可进行物理分析、环境与化学分析、电学表征和可靠性测试。而RCS位于精工爱普生千岁工厂，此前已在小规模试制600mm×600mm  RDL中介层等产品。

今年3月，Rapidus宣布已完成一轮总额达2676亿日元（当时约合人民币117.6亿元）的融资，资金来自日本政府和私营企业。同月，佳能与新思科技（Synopsys）日本分公司宣布与Rapidus携手开发2nm图像处理芯片，旨在满足边缘终端实时图像处理与AI处理的高级化需求。

（来源：SEMI/JSSIA整理）