6月11日，芯联集成发布公告，计划在浙江省绍兴市合资建设一条月产能达5万片的12英寸数模混合芯片生产线。

据介绍该项目为芯联集成的第四期投资项目，计划总投资约200亿元，其中芯联集成出资30.12亿元，持股25.1%，旨在持续巩固和扩大其在功率半导体、高端模拟芯片、MCU等领域的产能与技术优势。同时，该项目也将加速推动国内硅光芯片的制造能力建设。

第四期项目主要围绕以下五大工艺平台：

1. 55nm至28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台：面向智能汽车、工业自动化及AIoT（人工智能物联网）领域，其中AI端侧DSP的布局旨在为边缘计算设备提供本地化算力支持。

2. 90nm数模混合芯片平台：专注于高性能、高功率、高可靠性的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，主要服务于新能源汽车、工业控制及高端消费电子市场。

3. 55nmAI服务器高频电源管理芯片制造平台：直接面向AI服务器电源系统的需求，为CPU/GPU等高性能计算芯片提供高功率密度、高效率的供电解决方案，以应对全球数据中心对先进电源芯片的迫切需求。

4. 55nm硅光芯片平台：瞄准数据中心光互连、AI集群内部高速通信以及高速光模块市场。该平台将在一期8英寸硅光产线及三期12英寸90nm硅光技术的基础上，进一步建设和扩大55nm硅光芯片的产能。

5. 面向光引擎的55nmSiGe（锗硅）跨阻放大器与激光驱动芯片平台：覆盖高速光模块接收端与发射端的核心电芯片。该平台将与55nm硅光平台协同，形成“硅光芯片+配套电芯片”的完整解决方案，为客户提供一站式光引擎代工服务。

在一期、二期、三期项目达产的基础上，未来随着四期项目的投产，芯联集成整体晶圆制造产能将超过40万片/月产能（折合8英寸）。

（JSSIA整理）