6月22日，芯联集成旗下控股子公司芯联动力对外官宣，正式推出3300V SiC MOSFET器件。

企业披露,该器件依托企业自研8英寸碳化硅工艺平台开发，采用自研高压平面栅SiC MOSFET技术，面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景定制，目前已向核心客户送样验证。基于3300V器件优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本降低20%~35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。

资料显示，芯联动力主要聚焦碳化硅、氮化镓宽禁带半导体一站式解决方案，拥有8英寸碳化硅MOSFET产线，主要布局数据中心800V HVDC的SiC及GaN解决方案、固态变压器SST器件等AIDC领域。

（JSSIA整理）