7月5日，杭州镓仁半导体兼容6/8英寸氧化镓同质外延量产线正式全面投产，首批标准化6英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证。

据介绍，本次投产产线依托企业自研铸造法单晶长晶技术与定制化MOCVD外延工艺，打通单晶生长、衬底加工、同质外延全流程量产链路。该产线产出外延片厚度超10μm，膜厚均匀性方差低于1%，晶体缺陷密度大幅优化，同质外延晶格完美匹配衬底，可充分释放氧化镓超高耐压、低导通损耗的材料优势。同时自研长晶工艺大幅减少贵金属铱消耗，衬底单片成本降幅超80%，超薄衬底加工技术将晶体出片量提升至传统工艺3-4倍，从材料端大幅降低下游器件厂商研发与量产门槛。

氧化镓作为第四代半导体核心材料，巴利加优值是碳化硅的10倍、氮化镓的4倍，适配800V车载快充、光伏储能、高压电网、日盲紫外探测等高端场景。

（JSSIA整理）