设备材料
 
砷化镓、磷化铟衬底项目落地衢州
 2026-7-9
 

7月7日消息,总投资20亿元的高端化合物半导体衬底生产线项目在浙江衢州完成投资备案。

 

备案信息显示,该项目由浙江先导微电子科技有限公司投建,计划固定资产投资17亿元,将利用企业现有场地升级扩建生产线,引入高端晶体生长、精密抛光、缺陷检测等核心生产设备,重点布局4-6英寸高端砷化镓、磷化铟单晶衬底产品,建设周期为2026年8月至2029年8月。

 

项目建成后将形成年产砷化镓衬底300万片、磷化铟衬底300万片的生产能力,合计年产600万片高端半导体衬底。

 

项目相关负责人表示,后续将加快产线建设与设备调试进度,推动项目早日投产达效。

 

(JSSIA整理)